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在SiO ₂ / Si晶片上的CVD石墨烯/ CVD六方氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)

CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 4 Pack

石墨烯/ h-BN薄膜的性質(zhì)：

單層h-BN膜上的單層石墨烯膜  轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO ₂ / Si晶片上

尺寸：1cmx1cm; 4包

每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制

該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％

薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物

高結(jié)晶質(zhì)量

石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有小的多層島（低于5％的雙層）

薄層電阻：430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉(zhuǎn)移到SiO ₂ / Si晶片上。

要在轉(zhuǎn)移前查看薄膜的特性，請參閱我們的相關(guān)產(chǎn)品銅箔上的石墨烯和銅箔上的h-BN。

硅/二氧化硅晶片的特性：

氧化層厚度：285nm

顏色：紫羅蘭色

晶圓厚度：525微米

電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米

型號/摻雜劑：P /硼

方向：<100>

前表面：拋光

背面：蝕刻

應(yīng)用：

石墨烯/ hBN界面用于需要精確門控石墨烯，增加遷移率和減少散射的場合。

h-BN作為基于石墨烯的電子器件的基底具有吸引力，因?yàn)槠浔砻嬖蛹壒饣?，沒有懸空鍵，并且具有與石墨烯類似的結(jié)構(gòu)。

在石墨烯上使用我們的SiO2 / Si晶片上的h-BN將鼓勵(lì)您探索用于晶體管應(yīng)用的石墨烯異質(zhì)結(jié)構(gòu)

我們的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA輔助轉(zhuǎn)移方法制造。

我們可以在4“晶圓上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜

學(xué)術(shù)參考

石墨烯生長

在銅箔上大面積合成高質(zhì)量和均勻的石墨烯薄膜科學(xué)2009年6月5日：Vol。324.沒有。5932，pp.1312 - 1314

石墨烯轉(zhuǎn)移

用于高性能透明導(dǎo)電電極的大面積石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移，Li et.al.，Nano Lett。，2009,9（12），pp 4359-4363

走向清潔和無裂縫轉(zhuǎn)移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano，2011,5（11），pp 9144-9153

石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)

石墨烯，六方氮化硼（h-BN）和石墨烯/ h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電學(xué)性質(zhì)和應(yīng)用

Materials Today Physics，Science Direct：Vol 2，September 2017，pp 6-34

第2卷，2017年9月，第6-34頁作者鏈接打開覆蓋面板